Trong một bài đăng trên website của hãng, SK hynix đã xác nhận quá trình phát triển bộ nhớ băng thông cao HBM4 thế hệ tiếp theo sẽ bắt đầu vào năm 2024, nhằm chuẩn bị cho kỷ nguyên tiếp theo của các trung tâm dữ liệu và AI
Cho đến nay, đã có Micron và Samsung liệt kê các sản phẩm bộ nhớ HBM4 thế hệ tiếp theo, đồng thời xác nhận đang phát triển và nêu rõ khung thời gian dự kiến ra mắt vào khoản 2025-2026. Dựa trên xác nhận mới nhất từ SK hynix, công ty cũng đã tiết lộ rằng họ có kế hoạch bắt đầu sản xuất thế hệ bộ nhớ băng thông cao tiếp theo vào năm 2024.
Nói về các sản phẩm HBM, Giám đốc cấp cao Kim Wang-soo nhấn mạnh rằng SK hynix sẽ sản xuất hàng loạt giải pháp HBM3E của riêng mình, một biến thể nâng cao của bộ nhớ HBM3 hiện có, vào năm 2024.
Bộ nhớ mới sẽ cung cấp tốc độ và dung lượng cao hơn. Đồng thời, SK hynix cũng sẽ bắt đầu phát triển bộ nhớ HBM4, điều này sẽ đánh dấu một bước quan trọng trong quá trình phát triển liên tục của dòng sản phẩm HBM.
Hiện tại, theo kế hoạch của năm 2024, chúng ta có thể mong đợi các sản phẩm thực tế sẽ ra mắt vào cuối năm 2025 hoặc 2026. Một lộ trình gần đây được Trendforce chia sẻ dự kiến rằng các mẫu HBM4 đầu tiên dự kiến sẽ có dung lượng lên tới 36 GB trên mỗi ngăn xếp và thông số kỹ thuật đầy đủ dự kiến sẽ được JEDEC phát hành vào khoảng nửa cuối năm 2024-2025.
Dự kiến, đợt cung cấp cho khách hàng đầu tiên sẽ diễn ra vào năm 2026, vì vậy, vẫn còn rất nhiều thời gian trước khi chúng ta có thể thấy các giải pháp bộ nhớ băng thông cao mới hoạt động.
Với ngăn xếp 36 GB, người dùng có thể có dung lượng lên tới 288 GB và thậm chí còn có dung lượng cao hơn theo kế hoạch. Bộ nhớ HBM3E đã đạt tốc độ 9,8 Gbps nên chúng ta có thể mong đợi HBM4 sẽ là bộ nhớ đầu tiên vượt qua ngưỡng 10+ Gbps.
Blackwell của NVIDIA dự kiến sẽ sử dụng module bộ nhớ HBM3E nên sẽ là sản phẩm kế thừa cho Blackwell (có thể có tên mã là Vera Rubin) hoặc phiên bản nâng cấp của phiên bản đó như Hopper H200 (HBM3E) để trở thành phiên bản đầu tiên sử dụng HBM4.
TH (phapluatxahoi.kinhtedothi.vn)
