Trong sự kiện Future of Memory and Storage (FMS) 2026 diễn ra tại Santa Clara, California, Samsung đã giới thiệu nhiều công nghệ bộ nhớ và lưu trữ tiên tiến. Đặc biệt, công ty đã công bố phiên bản BV-NAND (Bonded V-NAND) V10, đánh dấu cột mốc 13 năm kể từ khi họ giới thiệu công nghệ V-NAND đầu tiên.
BV-NAND V10: Công nghệ bộ nhớ tiên tiến
Bộ nhớ BV-NAND V10 sở hữu hơn 400 lớp, sử dụng công nghệ gắn kết tiên tiến của Samsung để xếp chồng các ô nhớ. So với phiên bản V9 trước đó, V10 tăng mật độ bộ nhớ lên khoảng 58%. Điều này không chỉ cải thiện hiệu suất đọc, ghi và I/O mà còn nâng cao hiệu suất năng lượng.
Giới thiệu zHBM: Giải pháp bộ nhớ cho AI
Samsung cũng đã giới thiệu giải pháp bộ nhớ độc quyền zHBM, hứa hẹn mang lại hiệu suất gấp khoảng tám lần so với tiêu chuẩn HBM5. zHBM sử dụng công nghệ gắn kết wafer của Samsung và có thể đạt được mật độ bộ nhớ gấp 10 lần HBM5, đồng thời tăng gấp ba lần hiệu suất năng lượng. Giải pháp này được thiết kế để xếp chồng lên các bộ tăng tốc AI, giảm khoảng cách mà tín hiệu dữ liệu cần di chuyển, từ đó nâng cao tốc độ và hiệu suất năng lượng.
zNAND-O và LPDDR5X-PIM: Các công nghệ bộ nhớ thế hệ tiếp theo
Samsung cũng đã giới thiệu zNAND-O, bộ nhớ flash thế hệ tiếp theo dựa trên công nghệ V-NAND của họ. zNAND-O hứa hẹn mang lại hiệu suất I/O cao hơn và độ trễ thấp hơn so với bộ nhớ NAND thông thường, với các phiên bản 4 và 8 lớp đang được phát triển. Trong khi đó, LPDDR5X-PIM là RAM LPDDR đầu tiên trên thế giới có khả năng xử lý trong bộ nhớ (PIM), cho phép một phần xử lý dữ liệu diễn ra ngay trong bộ nhớ trước khi gửi kết quả đến bộ xử lý, từ đó cải thiện băng thông và hiệu suất năng lượng.
Tầm nhìn của Samsung cho tương lai
Trong bài phát biểu khai mạc có tiêu đề “Thúc đẩy làn sóng cách mạng AI: Đổi mới 3D trong kiến trúc bộ nhớ và lưu trữ”, các lãnh đạo của Samsung đã trình bày ý tưởng của họ về việc tối đa hóa hiệu suất hệ thống AI và hiệu suất năng lượng. Những công nghệ này không chỉ định hình tương lai của bộ nhớ mà còn có thể tạo ra những bước tiến lớn trong lĩnh vực AI, từ đào tạo đến suy luận trong môi trường đám mây.
Nhìn chung, sự ra mắt của BV-NAND V10 và zHBM không chỉ là bước tiến lớn trong công nghệ bộ nhớ mà còn mở ra nhiều cơ hội mới cho các ứng dụng AI trong tương lai. Samsung đang dẫn đầu trong việc phát triển các giải pháp bộ nhớ tiên tiến, hứa hẹn sẽ có tác động sâu rộng đến ngành công nghiệp công nghệ thông tin.
TH (phapluatxahoi.kinhtedothi.vn)
