SK hynix, một trong những nhà sản xuất chip hàng đầu thế giới, vừa thông báo rằng họ đã bắt đầu giao mẫu bộ nhớ HBM4E (High Bandwidth Memory) cho các đối tác của mình. Bộ nhớ HBM4E mới này hứa hẹn mang lại hiệu suất vượt trội với tốc độ lên đến 16Gbps mỗi chân, cao hơn so với tiêu chuẩn HBM4 trước đó chỉ đạt 10Gbps mỗi chân.

Tính năng nổi bật của HBM4E

Bộ nhớ HBM4E được thiết kế với 12 die xếp chồng lên nhau, cho phép đạt dung lượng lên tới 48GB cho mỗi stack. Đây là một bước tiến quan trọng trong việc phát triển phần cứng AI, khi mà các ứng dụng này thường yêu cầu băng thông cao và hiệu suất năng lượng tốt hơn so với bộ nhớ DDR truyền thống.

SK hynix cũng cho biết bộ nhớ HBM4E mới này tiết kiệm năng lượng hơn 20% so với phiên bản HBM4 trước đó. Công nghệ sản xuất được sử dụng là MR-MUF (Mass Reflow Molded Underfill), giúp bảo vệ các mạch điện trên silicon và giảm nhiệt độ hoạt động với 17% nhiệt trở thấp hơn so với thiết kế cũ.

Đối thủ cạnh tranh và kế hoạch sản xuất

Samsung, một đối thủ lớn trong lĩnh vực bộ nhớ, cũng đã bắt đầu giao mẫu thiết kế HBM4E của mình cách đây một tháng, tuy nhiên tốc độ mà họ công bố chỉ đạt 14Gbps mỗi chân. Điều này cho thấy SK hynix đang dẫn đầu trong cuộc đua công nghệ bộ nhớ cao cấp.

SK hynix cam kết sẽ làm việc chặt chẽ với các đối tác để đưa sản phẩm vào sản xuất hàng loạt trong thời gian sớm nhất. Họ nhấn mạnh rằng khả năng phát triển và sản xuất bộ nhớ HBM của mình là một lợi thế lớn, giúp công ty duy trì vị thế cạnh tranh trên thị trường.

TH (phapluatxahoi.kinhtedothi.vn)